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砷化铟InAs

以InAs单晶为衬底可生长InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等异质结材料和InAs/GaSb超晶格结构材料,可制作波长2~14μm的红外发光器件和中红外量子级联激光器,这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。此外,InAs单晶具有很高的电子迁移率,是一种制作Hall器件的理想材料。

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